सिलिकॉन कार्बाइड की तैयारी विधि

उच्च गुणवत्ता वाले SiC एकल क्रिस्टल मुख्य रूप से भौतिक वाष्प परिवहन (पीवीटी) और उच्च तापमान रासायनिक वाष्प जमाव (HTCVD) द्वारा तैयार किए जाते हैं। पीवीटी विधि उच्च तापमान पर SiC स्रोत पाउडर को उर्ध्वपातित करती है, जिससे इसमें मौजूद घटक बीज क्रिस्टल की सतह पर संघनित होकर उच्च गुणवत्ता वाले SiC एकल क्रिस्टल विकसित करते हैं। एचटीसीवीडी विधि रासायनिक वाष्प जमाव के माध्यम से उच्च तापमान पर SiC क्रिस्टल को संश्लेषित करती है।